Осипьян Юрий Андреевич (15.2. 1931, Москва — 10.9.2008, там же), физик. Акад. РАН (1981), почётный академик АН РБ (1991), доктор физико-математических наук (1971), профессор (1970). Герой Социалистического Труда (1986). Окончил Моск. ин-т стали и сплавов (1955), МГУ (1957). В 1955—62 работал в Ин-те металловедения и физики металлов Центр. НИИ чёрной металлургии, с 1963 — в Ин-те физики тв. тела РАН (с 1973 дир., с 2002 науч. рук.), одновр. с 1964 заведующий кафедрой физики тв. тела Моск. физ.-техн. ин-та и в 1988—2001 вице-през. РАН. Научные труды посвящены физике тв. тела, высокотемпературной сверхпроводимости. О. открыт фотопластич. эффект в полупроводниках, исследованы электронный спиновый резонанс на дислокациях, инверсия типа проводимости полупроводников при введении дислокаций, влияние дефектов на кинетику бездиффузионных мартенситных переходов в металлах, мех. св-ва нитевидных кристаллов, люминесценция и др. При участии О. разработана технология выращивания совершенных и массивных кристаллов фуллерита, изучены спектры фотолюминесценции, поглощения и возбуждения кристаллов фуллерита С60. Автор около 250 научных трудов. Гл. редактор ж.«Квант» (с 1985). През. Междунар. союза теоретич. и прикладной физики (1990—94). Депутат ВС СССР 12-го созыва. Лауреат премии им. П.Н.Лебедева (1984). Награждён орденом Ленина (1981, 1986), Трудового Красного Знамени (1971, 1975), «За заслуги перед Отечеством» 2-й ст. (1999), Симона Боливара (Колумбия, 1990).
